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| 产品种类: | MOSFET |
| Id-连续漏极电流: | 9 A |
| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
| Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms |
| 晶体管极性: | N-Channel, P-Channel |
| Vgs-栅源极击穿电压 : | 20 V |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 3.1 W |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK-4 |
| 封装: | Reel |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Dual Common Drain |
| 下降时间: | 6 ns, 3 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 29 S |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 上升时间: | 13 ns, 3 ns |
| 系列: | FDD8424H |
| 工厂包装数量: | 2500 |
| 典型关闭延迟时间: | 17 ns, 20 ns |
| 单位重量: | 260.370 mg |