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| 产品种类: | MOSFET |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SSOT-3 |
| 通道数量: | 1 Channel |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 60 |
| Id-连续漏极电流: | 1.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 170 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| 封装: | Reel |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 8 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 4.3 S |
| 高度: | 0.94 mm |
| 长度: | 2.92 mm |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| Pd-功率耗散: | 500 mW |
| 产品: | MOSFET Small Signal |
| 上升时间: | 8 ns |
| 系列: | PowerTrench |
| 工厂包装数量: | 3000 |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 类型: | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间: | 16.5 ns |
| 典型接通延迟时间: | 6.5 ns |
| 宽度: | 1.4 mm |
| 零件号别名: | FDN5618P_NL |
| 单位重量: | 30 mg |