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| 产品种类: | MOSFET |
| Id-连续漏极电流: | 8.1 A |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 30 V |
| Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| Vgs-栅源极击穿电压 : | 20 V |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 2.5 W |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 Narrow |
| 封装: | Reel |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 12 ns, 16 ns |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 上升时间: | 8 ns, 35 ns |
| 系列: | SI4435DDY |
| 工厂包装数量: | 2500 |
| 典型关闭延迟时间: | 45 ns, 40 ns |
| 零件号别名: | SI4435DDY-GE3 |